SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

Kết quả: 31
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Bảng dữ liệu
1,090Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
366Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
350Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
199Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
1,619Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
506Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Bảng dữ liệu
685Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
460Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
346Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
Bảng dữ liệu
704Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
366Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
450Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
428Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
Bảng dữ liệu
169Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Bảng dữ liệu
61Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Bảng dữ liệu
150Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Bảng dữ liệu
529Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Bảng dữ liệu
87Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA
Bảng dữ liệu
990Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
Bảng dữ liệu
753Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Bảng dữ liệu
258Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Bảng dữ liệu
84Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Bảng dữ liệu
143Có hàng
450Dự kiến 03/03/2027
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Bảng dữ liệu
506Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
135Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101