650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

Kết quả: 28
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Bảng dữ liệu
318Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Bảng dữ liệu
318Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Bảng dữ liệu
417Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Bảng dữ liệu
438Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Bảng dữ liệu
268Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Bảng dữ liệu
188Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Bảng dữ liệu
317Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Bảng dữ liệu
450Có hàng
2,160Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Bảng dữ liệu
402Có hàng
480Dự kiến 08/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Bảng dữ liệu
476Có hàng
480Dự kiến 19/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Bảng dữ liệu
680Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 40 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Bảng dữ liệu
237Có hàng
240Dự kiến 10/06/2027
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Bảng dữ liệu
232Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Bảng dữ liệu
162Có hàng
240Dự kiến 12/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Bảng dữ liệu
97Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Bảng dữ liệu
82Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Bảng dữ liệu
149Có hàng
240Dự kiến 29/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Bảng dữ liệu
187Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Bảng dữ liệu
27Có hàng
240Dự kiến 15/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Bảng dữ liệu
6Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Bảng dữ liệu
26Có hàng
480Dự kiến 01/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Bảng dữ liệu
460Dự kiến 05/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Bảng dữ liệu
240Dự kiến 22/07/2027
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube