Kết quả: 40
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Đóng gói

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
248Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Bảng dữ liệu
211Có hàng
90Dự kiến 15/12/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.5 Amps 1000V
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
215Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Bảng dữ liệu
549Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Bảng dữ liệu
263Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Bảng dữ liệu
274Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1
Bảng dữ liệu
158Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
2,298Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Bảng dữ liệu
223Có hàng
300Dự kiến 14/12/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
Bảng dữ liệu
654Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
310Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Bảng dữ liệu
63Có hàng
3,100Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Bảng dữ liệu
14Có hàng
350Dự kiến 16/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Bảng dữ liệu
67Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
8Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Bảng dữ liệu
111Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs >1200V High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
285Dự kiến 04/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 15/09/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Bảng dữ liệu
800Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 300
Nhiều: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 24 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 24 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 50
Nhiều: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube