6ED2230S12TXUMA1

Infineon Technologies
726-6ED2230S12TXUMA1
6ED2230S12TXUMA1

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 61

Tồn kho:
61
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
2,000
Dự kiến 23/02/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
19
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.09 $4.09
$3.10 $31.00
$2.85 $71.25
$2.58 $258.00
$2.45 $612.50
$2.37 $1,185.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$2.29 $2,290.00
$2.20 $4,400.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSO-24
6 Driver
6 Output
650 mA
13 V
20 V
Inverting
35 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Infineon SOI
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Loại logic: CMOS
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 600 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 600 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 175 uA
Pd - Tiêu tán nguồn: 1.3 W
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa: 900 ns
Tắt: Shutdown
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Thương hiệu: EiceDRIVER
Mã Bí danh: 6ED2230S12T SP001656578
Đơn vị Khối lượng: 807.300 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.