Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

AS4C128M32MD2A-18BIN

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

913-4C12832MD2A18BIN

Số nhà sản xuất:

AS4C128M32MD2A-18BIN

Nsx:

Alliance Memory

Mô tả:

DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

Tuổi thọ:

Cũ

Bảng dữ liệu:

AS4C128M32MD2A-18BIN Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Alliance Memory AS4C128M32MD2A-18BIN

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Alliance Memory
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Loại:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Kích thước bộ nhớ:	4 Gbit
Độ rộng bus dữ liệu:	32 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	533 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-134
Tổ chức:	128 M x 32
Thời gian truy cập:	18 ns
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.14 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.95 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	AS4C128M32MD2A-18
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Alliance Memory
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	171
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa:	130 mA
Đơn vị Khối lượng:	36.420 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

AS4C128M32MD2A-18BIN Bảng dữ liệu (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.