AS4C32M16D2C-25BCN

Alliance Memory
913-S4C32M16D2C25BCN
AS4C32M16D2C-25BCN

Nsx:

Mô tả:
DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Commercial Temp - Tray

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 198

Tồn kho:
198 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.52 $4.52
$4.18 $41.80
$4.05 $101.25
$3.96 $198.00
$3.86 $386.00
$3.74 $781.66
$3.65 $1,525.70
$3.62 $3,782.90
$3.45 $8,652.60

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Alliance Memory
Danh mục Sản phẩm: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR2
512 Mbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
32 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
0 C
+ 85 C
Tray
Nhãn hiệu: Alliance Memory
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Loại sản phẩm: DRAM
Số lượng Kiện Gốc: 209
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa: 75 mA
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.