AS4C64M4SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C64M4SA7TCN
AS4C64M4SA-7TCN

Nsx:

Mô tả:
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 99

Tồn kho:
99 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.30 $4.30
$4.01 $40.10
$3.89 $97.25
$3.80 $190.00
$3.70 $399.60
$3.55 $766.80
$3.49 $1,884.60
$3.40 $3,672.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Alliance Memory
Danh mục Sản phẩm: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
4 bit
143 MHz
TSOP-II-54
64 M x 4
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C64M4SA
Tray
Nhãn hiệu: Alliance Memory
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: TW
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Loại sản phẩm: DRAM
Số lượng Kiện Gốc: 108
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa: 55 mA
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.