ADL8122ACPZN-R7

Analog Devices
584-ADL8122ACPZN-R7
ADL8122ACPZN-R7

Nsx:

Mô tả:
RF Amplifier 0.01 to 10 GHz PA

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 3000   Nhiều: 3000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$103.51 $310,530.00

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Cut Tape
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$127.95
Tối thiểu:
1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Analog Devices Inc.
Danh mục Sản phẩm: Bộ khuếch đại RF
RoHS:  
10 kHz to 10 GHz
3 V to 6 V
95 mA
16 dB
1.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
LFCSP-8
Si
20.5 dBm
35 dBm
- 55 C
+ 125 C
ADL8122
Reel
Nhãn hiệu: Analog Devices
Bộ công cụ phát triển: ADL8122-EVALZ
Suy hao trở lại đầu vào: 14.5 dB
Nhạy với độ ẩm: Yes
Số lượng kênh: 1 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn: 1.23 W
Loại sản phẩm: RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Wireless & RF Integrated Circuits
Tần số kiểm tra: 10 kHz to 2 GHz
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

ADL8122 Wideband Low Noise Amplifier (LNA)

Analog Devices ADL8122 Wideband Low Noise Amplifier (LNA) operates from 10kHz to 10GHz. The typical gain and noise figures are 17dB and 2dB, respectively, from 2GHz to 6GHz. Output power for 1dB compression (OP1dB), output third-order intercept (OIP3), and output second-order intercept (OIP2) are 20dBm, 33.5dBm, and 37dBm, respectively, from 2GHz to 6GHz. The nominal quiescent current (IDQ), which can be adjusted, is 95mA from a 5V supply voltage (VDD). The internally matched, DC-coupled RF input and output pins require external AC coupling capacitors and a bias inductor on RFOUT. In addition, the RF input is biased through an external inductor connected between the VBIAS pin and the RFIN pin.