IS25WP512MJ-JLLE

ISSI
870-IS25WP512MJ-JLLE
IS25WP512MJ-JLLE

Nsx:

Mô tả:
Universal Flash Storage - UFS 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS,new die

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 214

Tồn kho:
214 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1   Tối đa: 3
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$8.18 $8.18

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ISSI
Danh mục Sản phẩm: Bộ Lưu Trữ Flash Chung - UFS
RoHS:  
512 Mb
QPI
- 40 C
+ 105 C
WSON-8
Nhãn hiệu: ISSI
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Sản phẩm: Flash Memory
Loại sản phẩm: Universal Flash Storage (UFS)
Số lượng Kiện Gốc: 480
Điện áp cấp nguồn - Tối đa: 1.95 V
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu: 1.65 V
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.a

IS25LP512MJ & IS25WP512MJ Flash Memory Devices

ISSI IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash Memory Devices are versatile storage solutions designed for systems that require limited space, low pin count, and low power consumption. These devices are accessed through a 4-wire SPI interface. The interface includes a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices support Double Transfer Rate (DTR) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These devices feature 80MHz normal read, up to 166MHz fast read, 1μA deep power down, 6μA standby current, and 8mA active read current. The IS25LP512MJ and IS25WP512MJ Flash memory devices offer more than 20 years of data retention.