IR21834STRPBF
Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
942-IR21834STRPBF
IR21834STRPBF
Nsx:
Mô tả:
Gate Drivers Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
Gate Drivers Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
Bảng dữ liệu:
Có hàng: 6,133
-
Tồn kho:
-
6,133 Có thể Giao hàng NgayĐã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
-
Thời gian sản xuất của nhà máy:
-
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Giá (USD)
| Số lượng | Đơn giá |
Thành tiền
|
|---|---|---|
| Cut Tape / MouseReel™ | ||
| $2.46 | $2.46 | |
| $1.83 | $18.30 | |
| $1.67 | $41.75 | |
| $1.50 | $150.00 | |
| $1.42 | $355.00 | |
| $1.37 | $685.00 | |
| $1.31 | $1,310.00 | |
| Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500) | ||
| $1.14 | $2,850.00 | |
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.
↩
Bao bì thay thế
Bảng dữ liệu
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS218(1,14) and IR218(1,14) Comparison (PDF)
- IRS218(3,34) and IR218(3,34) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Việt Nam
