IR2233SPbF

Infineon Technologies
942-IR2233SPBF
IR2233SPbF

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IR2233SPbF

Có hàng: 2,815

Tồn kho:
2,815 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 2815 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$7.54 $7.54
$5.83 $58.30
$5.40 $135.00
$4.93 $493.00
$4.71 $1,177.50
$4.57 $2,285.00
$4.46 $4,460.00
$4.25 $8,500.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-28
6 Driver
6 Output
500 mA
10 V
20 V
90 ns
40 ns
- 40 C
+ 125 C
IR223X
Tube
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: TW
Đặc điểm nổi bật: Independent
Loại logic: CMOS, LSTTL
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 700 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 750 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 4 mA
Pd - Tiêu tán nguồn: 1.6 W
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa: 1 us
Tắt: Shutdown
Số lượng Kiện Gốc: 2000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Thương hiệu: EiceDRIVER
Đơn vị Khối lượng: 2.215 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

IR2233/IR2235 MOSFET & IGBT Drives

Infineon Technologies IR2233/IR2235 MOSFET and IGBT Drives feature three independent high- and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs feature three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. The Gate Driver ICs have a proprietary HVIC technology that enables ruggedized monolithic construction. The IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs have logic inputs compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. Additionally, the devices provide an independent operational amplifier. This amplifier permits analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.