MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,274

Tồn kho:
1,274 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$7.14 $7.14
$5.51 $55.10
$5.11 $127.75
$4.66 $466.00
$4.44 $1,110.00
$4.31 $2,155.00
$4.21 $4,210.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$4.07 $12,210.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 45 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 45 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 10 A
Pd - Tiêu tán nguồn: 40 mW
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa: 70 ns
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 330 mOhms
Tắt: Shutdown
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: GaN
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.