Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STDRIVEG211Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211Q
Price: 2.66 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STDRIVEG211Q

Số nhà sản xuất:

STDRIVEG211Q

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

STDRIVEG211Q Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STDRIVEG211Q

Có hàng: 674

Tồn kho:: 674 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.66	$2.66
	$1.99	$19.90
	$1.82	$45.50
	$1.63	$163.00
	$1.54	$385.00
	$1.48	$725.20
	$1.43	$1,401.40
	$1.36	$3,998.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều hợp cổng
RoHS:
Sản phẩm:	Gate Drivers
Loại:	Half-Bridge
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	QFN-18
Số mạch điều khiển:	2 Driver
Số lượng đầu ra:	3 Output
Dòng đầu ra:	1 A, 2.4 A
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	3.3 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	20 V
Cấu hình:	Inverting
Thời gian tăng:	22 ns
Thời gian giảm:	11 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Bộ công cụ phát triển:	EVLSTDRIVEG611
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Dòng cấp nguồn vận hành:	1.02 nA
Điện áp đầu ra:	220 V
Loại sản phẩm:	Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa:	60 ns
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	7 Ohms
Tắt:	Shutdown
Số lượng Kiện Gốc:	490
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Công nghệ:	GaN

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STDRIVEG211Q Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.