CSD95379Q3MT

Texas Instruments
595-CSD95379Q3MT
CSD95379Q3MT

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers Synchronous Buck Nex FET Power Stage CSD A 595-CSD95379Q3M

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,500

Tồn kho:
1,500 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$2.16 $2.16
$1.62 $16.20
$1.48 $37.00
$1.32 $132.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)
$1.14 $285.00
$1.08 $540.00
$1.05 $1,050.00
$1.02 $5,100.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$1.86
Tối thiểu:
1

Sản phẩm Tương tự

Texas Instruments CSD95379Q3M
Texas Instruments
Gate Drivers Sync Buck NexFET Pow er State A 595-CSD9 A 595-CSD95379Q3MT

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
REACH - SVHC:
Driver ICs - Various
SMD/SMT
VSON-10
1 Driver
1 Output
20 A
4.5 V
5.5 V
- 40 C
+ 125 C
CSD95379Q3M
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 5.5 mA
Pd - Tiêu tán nguồn: 6 W
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc: 250
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Thương hiệu: NexFET
Đơn vị Khối lượng: 34.400 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET Power Stage ICs

Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the device. This feature delivers higher efficiency in a typical high-current POL design. With ultra-low Qg and Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitors' devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a reduction in size by up to 1/2 for the output filter (caps and inductor). These devices come with a unique ground pad leadframe and pinout, simplifying the customer's layout and improving operating and thermal performance. The Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are offered in smaller packages versus typical discrete solutions, which saves board space.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.