INA848IDR

Texas Instruments
595-INA848IDR
INA848IDR

Nsx:

Mô tả:
Instrumentation Amplifiers Ultra-low-noise hig h-bandwidth instrume A 595-INA848ID

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 2500   Nhiều: 2500
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$10.32 $25,800.00
5,000 Báo giá

Sản phẩm Tương tự

Texas Instruments INA848ID
Texas Instruments
Instrumentation Amplifiers Ultra-low-noise hig h-bandwidth instrume A 595-INA848IDR

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: Bộ khuếch đại thiết bị
RoHS:  
INA848
1 Channel
45 V/us
150 dB
25 nA
10 uV
36 V
8 V
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
SOIC-8
Reel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Sai số khuếch đại: 0.05 %
Độ khuếch đại V/V: 2000 V/V
Ios - Dòng bù đầu vào: 2 nA
Nhạy với độ ẩm: Yes
Sản phẩm: Instrumentation Amplifiers
Loại sản phẩm: Instrumentation Amplifiers
PSRR - Tỷ lệ loại bỏ nguồn cấp: 150 dB
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Amplifier ICs
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

INA848 Fixed-Gain Instrumentation Amplifier

Texas Instruments INA848 Fixed-Gain Instrumentation Amplifier is optimized for high-precision measurements, such as very small, fast, differential input signals. TI's super-beta topology provides a very low input bias current and current noise. The well-matched transistors help achieve a very low offset and offset drift. Matching of the internal resistors yields a high common-mode rejection ratio of 132dB across the full input-voltage range and a very low gain drift error of 5ppm/C (max).