LM5109BMA

926-LM5109BMA
LM5109BMA

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers 1-A, 100-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and high noise immunity 8-SOIC -40 to 125

Tuổi thọ:
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:

Sản phẩm Tương tự

Texas Instruments LM5109BMA/NOPB
Texas Instruments
Gate Drivers 1A Peak Half Bridge

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
Hạn chế Vận chuyển
 Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS: N
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
1 A
8 V
14 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5109B
Tube
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: Not Available
Đặc điểm nổi bật: Independent
Loại logic: TTL
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 2 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 2 ns
Dòng cấp nguồn vận hành: 1.8 mA
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa: 32 ns
Số lượng Kiện Gốc: 95
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Đơn vị Khối lượng: 143 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

LM5109B/LM5109B-Q1 Half Bridge Gate Drivers

Texas Instruments LM5109B/LM5109B-Q1 Half Bridge Gate Drivers are cost-effective, high-voltage gate drivers designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs. This can be done in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side drivers are capable of working with rail voltages up to 90V. The outputs are independently controlled with TTL/CMOS compatible logic input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean-level transitions from the control input logic to the high-side gate drivers. Under-voltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.