LMG3422R050RQZR

Texas Instruments
595-LMG3422R050RQZR
LMG3422R050RQZR

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 2000   Nhiều: 2000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2000)
$8.43 $16,860.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
Hạn chế Vận chuyển
 Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
VQFN-54
1 Driver
1 Output
7.5 V
18 V
Non-Inverting
2.5 ns
21 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3422R050
Reel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: Not Available
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc: 2000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: GaN
Thương hiệu: GaN
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
3A001.A.2.A

LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs with integrated driver and protection enable designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems. The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.