TPS28226DRBR

Texas Instruments
595-TPS28226DRBR
TPS28226DRBR

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226DRBT

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 3000   Nhiều: 3000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.775 $2,325.00
$0.739 $4,434.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SON-8
2 Driver
2 Output
6 A
4 V
8.8 V
10 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
TPS28226
Reel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: MY
Đặc điểm nổi bật: Synchronous Rectification
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 14 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Pd - Tiêu tán nguồn: 2.58 W
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Đơn vị Khối lượng: 24 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.