Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

BGA9C1MN9E6327XTSA1

Name: Infineon BGA9C1MN9E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA9C1MN9E6327XT
Price: 0.46 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-BGA9C1MN9E6327XT

Số nhà sản xuất:

BGA9C1MN9E6327XTSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

RF Amplifier RF MMIC 3 TO 6 GHZ

Bảng dữ liệu:

BGA9C1MN9E6327XTSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies BGA9C1MN9E6327XTSA1

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 12000 Nhiều: 12000

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 12000)
	$0.468	$5,616.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF
Tần số vận hành:	4.4 GHz to 5 GHz
Điện áp cấp vận hành:	1.1 V to 2 V
Dòng cấp nguồn vận hành:	5.6 mA
Độ khuếch đại:	19 dB
NF - Hệ số nhiễu:	1 dB
Loại:	Low Noise Amplifiers
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Công nghệ:	SiGe
P1dB - Điểm bắt đầu nén:	- 19 dBm
OIP3 - Điểm chặn bậc ba:	- 7 dBm
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 30 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Loại sản phẩm:	RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc:	12000
Danh mục phụ:	Wireless & RF Integrated Circuits
Tần số kiểm tra:	4.9 GHz
Mã Bí danh:	BGA 9C1MN9 E6327 SP002367712

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

BGA9C1MN9E6327XTSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 5A991.b

4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.