IR25601STRPBF
Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
942-IR25601STRPBF
IR25601STRPBF
Nsx:
Mô tả:
Gate Drivers 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
Gate Drivers 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
Bảng dữ liệu:
Có hàng: 1,611
-
Tồn kho:
-
1,611 Có thể Giao hàng NgayĐã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
-
Thời gian sản xuất của nhà máy:
-
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Giá (USD)
| Số lượng | Đơn giá |
Thành tiền
|
|---|---|---|
| Cut Tape / MouseReel™ | ||
| $1.51 | $1.51 | |
| $1.10 | $11.00 | |
| $0.996 | $24.90 | |
| $0.885 | $88.50 | |
| $0.831 | $207.75 | |
| $0.799 | $399.50 | |
| $0.744 | $744.00 | |
| Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500) | ||
| $0.65 | $1,625.00 | |
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.
↩
Bảng dữ liệu
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- Gate driver application matrix - Every switch needs a driver (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Việt Nam
