IS66WVE2M16EALL-70BLI

ISSI
870-E2M16EALL70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI

Nsx:

Mô tả:
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 310

Tồn kho:
310 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1   Tối đa: 200
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$6.47 $6.47
$6.02 $60.20
$5.84 $146.00
$5.70 $285.00
$5.57 $557.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ISSI
Danh mục Sản phẩm: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Nhãn hiệu: ISSI
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: TW
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: SRAM
Sê-ri: IS66WVE2M16EALL
Số lượng Kiện Gốc: 480
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.