KTDM2G3C618BGIEAT

Name: SMART KTDM2G3C618BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M2G3C618BGIEAT
Price: 11.69 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

473-M2G3C618BGIEAT

Số nhà sản xuất:

KTDM2G3C618BGIEAT

Nsx:

SMARTsemi

Mô tả:

DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

Bảng dữ liệu:

KTDM2G3C618BGIEAT Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SMARTsemi KTDM2G3C618BGIEAT

Có hàng: 124

Tồn kho:: 124 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$11.69	$11.69
	$10.86	$108.60
	$10.53	$263.25
	$10.28	$514.00
	$10.03	$1,003.00
	$9.70	$1,920.60
	$9.45	$5,613.30
	$9.21	$10,941.48
2,574	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SMART
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM - DDR3L
Kích thước bộ nhớ:	2 Gbit
Độ rộng bus dữ liệu:	16 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	933 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-96
Tổ chức:	128 M x 16
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.283 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.575 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	KTDM
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	SMARTsemi
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TW
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	198
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

KTDM2G3C618BGIEAT Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.