KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 10.75 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

473-M4G3C818BGCEAT

Số nhà sản xuất:

KTDM4G3C818BGCEAT

Nsx:

SMARTsemi

Mô tả:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

Bảng dữ liệu:

KTDM4G3C818BGCEAT Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SMARTsemi KTDM4G3C818BGCEAT

Có hàng: 210

Tồn kho:: 210 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Số lượng lớn hơn 210 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$10.75	$10.75
	$9.99	$99.90
	$9.68	$242.00
	$9.45	$472.50
	$9.22	$922.00
	$8.91	$1,871.10
	$8.69	$3,649.80
	$8.62	$9,051.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SMART
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM - DDR3L
Kích thước bộ nhớ:	4 Gbit
Độ rộng bus dữ liệu:	8 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	933 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-78
Tổ chức:	512 M x 8
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.283 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.575 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	0 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	KTDM
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	SMARTsemi
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	210
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

KTDM4G3C818BGCEAT Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.