KTDM8G4B632BGCBCT

Name: SMART KTDM8G4B632BGCBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B63BGCBCT
Price: 12.59 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

473-KTDM8G4B63BGCBCT

Số nhà sản xuất:

KTDM8G4B632BGCBCT

Nsx:

SMARTsemi

Mô tả:

DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Bảng dữ liệu:

KTDM8G4B632BGCBCT Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SMARTsemi KTDM8G4B632BGCBCT

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$12.59	$12.59
	$11.69	$116.90
	$11.33	$283.25
	$11.06	$553.00
	$10.79	$1,079.00
	$10.44	$2,610.00
	$10.18	$5,090.00
	$10.10	$10,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SMART
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM - DDR4
Kích thước bộ nhớ:	8 Gbit
Độ rộng bus dữ liệu:	16 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	1.6 GHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	FBGA-96
Tổ chức:	512 M x 16
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.14 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.26 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	0 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Nhãn hiệu:	SMARTsemi
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

KTDM8G4B632BGCBCT Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).