LF21064NTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF21064NTR
LF21064NTR

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers HI LO Side DRVR 130mA SOIC(N)-14

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 2500   Nhiều: 2500
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.717 $1,792.50

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-14
2 Driver
2 Output
10 V
20 V
100 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Nhãn hiệu: IXYS Integrated Circuits
Loại logic: CMOS, TTL
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 280 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 300 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 120 uA
Pd - Tiêu tán nguồn: 1 W
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa: 30 ns
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

High-Side & Low-Side Gate Driver ICs

IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs offer 600mA/290mA to 4.5A/4.5A sink/source output current capabilities. The devices feature a wide operating voltage range of 10V to 20V. Protections include undervoltage lockout (UVLO) and shoot-through. IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs operate in a -40°C to +125°C temperature range and are available in SOIC-8, -14, -16 industry-standard packages and pin-outs.

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.