MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 501

Tồn kho:
501 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$8.97 $8.97
$6.39 $63.90
$6.10 $152.50
$5.30 $530.00
$5.06 $1,265.00
$4.62 $2,310.00
$4.09 $4,090.00
$3.96 $9,900.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Bộ công cụ phát triển: EVALMASTERGAN1
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 680 uA
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 330 mOhms
Tắt: Shutdown
Số lượng Kiện Gốc: 1560
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Đơn vị Khối lượng: 120 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.