MASTERGAN4LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4LTR
MASTERGAN4LTR

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,367

Tồn kho:
1,367 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 1367 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.76 $5.76
$4.42 $44.20
$4.08 $102.00
$3.71 $371.00
$3.53 $882.50
$3.43 $1,715.00
$3.34 $3,340.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$3.16 $9,480.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 45 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 45 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 6.5 A
Pd - Tiêu tán nguồn: 40 mW
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Độ trễ lan truyền - Tối đa: 70 ns
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 495 mOhms
Tắt: Shutdown
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: GaN
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.