MR0A08BMA35

Everspin Technologies
936-MR0A08BMA35
MR0A08BMA35

Nsx:

Mô tả:
MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Everspin Technologies MR0A08BMA35

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 696   Nhiều: 348
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$14.54 $10,119.84

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Everspin Technologies
Danh mục Sản phẩm: Bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM)
RoHS:  
BGA-48
Parallel
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
25 mA, 55 mA
0 C
+ 70 C
MR0A08B
Tray
Nhãn hiệu: Everspin Technologies
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Pd - Tiêu tán nguồn: 600 mW
Loại sản phẩm: MRAM
Số lượng Kiện Gốc: 348
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Thương hiệu: Parallel I/O (x8)
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.