MR2A16ACMA35

Everspin Technologies
936-MR2A16ACMA35
MR2A16ACMA35

Nsx:

Mô tả:
MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 701

Tồn kho:
701 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$35.23 $35.23
$32.59 $325.90
$31.55 $788.75
$30.77 $1,538.50
$30.00 $3,000.00
$28.67 $7,167.50
$28.60 $9,952.80

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Everspin Technologies
Danh mục Sản phẩm: Bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM)
RoHS:  
REACH - SVHC:
BGA-48
Parallel
4 Mbit
256 k x 16
16 bit
35 ns
3 V
3.6 V
55 mA, 105 mA
- 40 C
+ 85 C
MR2A16A
Tray
Nhãn hiệu: Everspin Technologies
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Pd - Tiêu tán nguồn: 600 mW
Loại sản phẩm: MRAM
Số lượng Kiện Gốc: 348
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Thương hiệu: Parallel I/O (x16)
Đơn vị Khối lượng: 2.100 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.