MR4A16BCMA35

Everspin Technologies
936-MR4A16BCMA35
MR4A16BCMA35

Nsx:

Mô tả:
MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Everspin Technologies MR4A16BCMA35

Có hàng: 1,542

Tồn kho:
1,542 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$62.77 $62.77
$57.97 $579.70
$56.08 $1,402.00
$54.68 $2,734.00
2,640 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Everspin Technologies
Danh mục Sản phẩm: Bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM)
RoHS:  
BGA-48
Parallel
16 Mbit
1 M x 16
16 bit
35 ns
3 V
3.6 V
60 mA, 152 mA
- 40 C
+ 85 C
MR4A16B
Tray
Nhãn hiệu: Everspin Technologies
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Pd - Tiêu tán nguồn: 600 mW
Loại sản phẩm: MRAM
Số lượng Kiện Gốc: 240
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Thương hiệu: Parallel I/O (x16)
Đơn vị Khối lượng: 3.768 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.