MT46V64M8P-5B:J

Micron
340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

Nsx:

Mô tả:
DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

Tuổi thọ:
Xác nhận Tình trạng với Nhà máy:
Thông tin tuổi thọ không rõ ràng. Nhận báo giá để kiểm tra số lượng sẵn có của mã phụ tùng này từ nhà sản xuất.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 720

Tồn kho:
720 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
53 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 720 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1   Tối đa: 720
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$6.23 $6.23
$5.80 $58.00
$5.76 $144.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Micron Technology
Danh mục Sản phẩm: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
Nhãn hiệu: Micron
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Loại sản phẩm: DRAM
Số lượng Kiện Gốc: 1080
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa: 85 mA
Đơn vị Khối lượng: 9.140 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

SDRAM DDR

SDRAM DDR của Micron là công nghệ mang tính cách mạng và tiên phong cho phép ứng dụng truyền dữ liệu trên các biên tăng và giảm của tín hiệu xung nhịp. Khả năng này giúp tăng gấp đôi băng thông và cải thiện hiệu suất qua SDRAM SDR. Để đạt được chức năng này, Micron sử dụng kiến trúc 2n-prefetch trong đó bus dữ liệu nội bộ có kích thước gấp đôi bus dữ liệu ngoài, do đó việc thu thập dữ liệu có thể xảy ra hai lần mỗi chu kỳ xung nhịp.