S34ML02G300TFI003

SkyHigh Memory
727-S34ML02G3TFI003
S34ML02G300TFI003

Nsx:

Mô tả:
NAND Flash 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 35

Tồn kho:
35 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
22 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.22 $5.22
$4.80 $48.00
$4.66 $116.50
$4.55 $227.50
$4.44 $444.00
$4.30 $1,075.00
$4.19 $2,095.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$4.16 $4,160.00
$3.95 $7,900.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
SkyHigh Memory
Danh mục Sản phẩm: Flash NAND
SMD/SMT
TSOP-I-48
2 Gbit
Parallel
256 M x 8
Asynchronous
8 bit
2.7 V
3.6 V
35 mA
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Dòng hoạt động đọc được - Tối đa: 35 mA
Nhãn hiệu: SkyHigh Memory
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: NAND Flash
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.