VSLY5850

Vishay Semiconductors
782-VSLY5850
VSLY5850

Nsx:

Mô tả:
Infrared Emitters 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors VSLY5850

Có hàng: 9,361

Tồn kho:
9,361 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
4 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$1.10 $1.10
$0.844 $8.44
$0.729 $72.90
$0.664 $332.00
$0.627 $627.00
$0.607 $1,214.00
$0.535 $2,140.00
$0.534 $6,408.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: Bộ phát hồng ngoại
RoHS:  
Through Hole
850 nm
600 mW/sr
3 deg
100 mA
1.65 V
190 mW
- 40 C
+ 85 C
Bulk
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Thời gian giảm: 10 ns
Màu chiếu sáng: Infrared
Dạng thấu kính: Dome
Loại sản phẩm: IR Emitters (IR LEDs)
Thời gian tăng: 10 ns
Số lượng Kiện Gốc: 4000
Danh mục phụ: Infrared Data Communications
Thương hiệu: SurfLight
Đơn vị Khối lượng: 449.665 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Application Notes

Models

PCN

CNHTS:
8541410090
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
JPHTS:
854141000
TARIC:
8541410000
MXHTS:
8541410100
BRHTS:
85414011
ECCN:
EAR99

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.

SurfLight™ IR Emitters

Vishay Semiconductors SurfLight™ Infrared (IR) Emitters feature 850nm or 940nm peak wavelength, GaAlAs surface emitter chip technology, high radiant power, high optical power, and high speed. SurfLight IR emitters have gullwing or reverse gullwing terminal configurations and are suitable for high pulse current operation. The 940nm IR emitters have a narrower half-degree angle of intensity and better response times for applications. These Vishay compared to the previous generation of IR emitters.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.