VSMY2853RG

Vishay Semiconductors
78-VSMY2853RG
VSMY2853RG

Nsx:

Mô tả:
Infrared Emitters SurflightVCSEL 850nm 35mW/sr, +/-28deg.

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 3,606

Tồn kho:
3,606 Có thể Giao hàng Ngay
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 6000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$0.61 $0.61
$0.479 $4.79
$0.392 $39.20
$0.355 $177.50
$0.328 $328.00
$0.319 $797.50
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 6000)
$0.316 $1,896.00
$0.31 $7,440.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: Bộ phát hồng ngoại
RoHS:  
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: IR Emitters (IR LEDs)
Sê-ri: VSMY2853
Số lượng Kiện Gốc: 6000
Danh mục phụ: Infrared Data Communications
Thương hiệu: SurfLight
Đơn vị Khối lượng: 250.125 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541410090
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
JPHTS:
854141000
TARIC:
8541410000
MXHTS:
8541410100
ECCN:
EAR99

SurfLight™ IR Emitters

Vishay Semiconductors SurfLight™ Infrared (IR) Emitters feature 850nm or 940nm peak wavelength, GaAlAs surface emitter chip technology, high radiant power, high optical power, and high speed. SurfLight IR emitters have gullwing or reverse gullwing terminal configurations and are suitable for high pulse current operation. The 940nm IR emitters have a narrower half-degree angle of intensity and better response times for applications. These Vishay compared to the previous generation of IR emitters.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.