Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

QPA1009EVB

Name: Qorvo QPA1009EVB
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA1009EVB
Price: 3375 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

772-QPA1009EVB

Số nhà sản xuất:

QPA1009EVB

Nsx:

Qorvo

Mô tả:

RF Development Tools 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Bảng dữ liệu:

QPA1009EVB Bảng dữ liệu (PDF)

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Qorvo QPA1009EVB

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$3,375.00	$3,375.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Qorvo
Danh mục Sản phẩm:	Công cụ phát triển RF
RoHS:
Sản phẩm:	Evaluation Boards
Loại:	RF Amplifier
Dụng cụ để đánh giá về:	QPA1009
Tần số:	10.7 GHz to 12.7 GHz
Nhãn hiệu:	Qorvo
Đóng gói:	Bag
Loại sản phẩm:	RF Development Tools
Sê-ri:	QPA1009
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Development Tools
Mã Bí danh:	QPA1009

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

QPA1009EVB Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

QPA1009EVB Evaluation Board

Qorvo QPA1009EVB Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier. The QPA1009 operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.