Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

TGF2954

Name: Qorvo TGF2954
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2954
Price: 78.74 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

772-TGF2954

Số nhà sản xuất:

TGF2954

Nsx:

Qorvo

Mô tả:

GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

Bảng dữ liệu:

TGF2954 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Qorvo TGF2954

Cảnh báo Vận chuyển:

Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 50 Nhiều: 50

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$78.74	$3,937.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Qorvo
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Hạn chế Vận chuyển	Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	Die
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	32 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	1.7 A
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 65 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	34.5 W
Nhãn hiệu:	Qorvo
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	US
Độ khuếch đại:	19.6 dB
Tần số làm việc tối đa:	15 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	0 Hz
Công suất đầu ra:	27 W
Đóng gói:	Gel Pack
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Sê-ri:	TGF2954
Số lượng Kiện Gốc:	50
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN-on-SiC
Loại transistor:	GaN HEMT
Mã Bí danh:	1112246

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

TGF2954 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (P_SAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.