AFV10700GSR5

NXP Semiconductors
771-AFV10700GSR5
AFV10700GSR5

Nsx:

Mô tả:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 50   Nhiều: 50
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 50)
$804.24 $40,212.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
NXP
Danh mục Sản phẩm: Transistor MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
2.6 A
105 V
1.03 GHz to 1.09 GHz
19.2 dB
700 W
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-780GS-4L
Reel
Nhãn hiệu: NXP Semiconductors
Số lượng kênh: 2 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn: 526 W
Loại sản phẩm: RF MOSFET Transistors
Sê-ri: AFV10700
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: MOSFETs
Loại: RF Power MOSFET
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn: + 10 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 2.3 V
Mã Bí danh: 935362013178
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.