BM61S41RFV-EVK002

ROHM Semiconductor
755-BM61S41RFVEVK002
BM61S41RFV-EVK002

Nsx:

Mô tả:
Power Management IC Development Tools BM61S41RFV-C Evaluation Board

Có hàng: 7

Tồn kho:
7 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$24.88 $24.88

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: Công cụ phát triển IC quản lý nguồn
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
4.5 V
16 V
BM61S41RFV-C
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Đóng gói: Bulk
Loại sản phẩm: Power Management IC Development Tools
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Development Tools
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
TARIC:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
EAR99

BM61S41RFV-EVK002 Evaluation Board

ROHM Semiconductor BM61S41RFV-EVK002 Evaluation Board drives two SiC power devices and is designed to evaluate a BM61S41RFV-C driver. The BM61S41RFV-C IC is a gate driver with an isolation voltage of 3750Vrms. The BM61S40RFV-C IC incorporates the Under-Voltage Lockout (UVLO) and Active Miller Clamp function. ROHM Semiconductor BM61S41RFV-EVK002 evaluation board provides 4.5V to 5.5V input-side power supply and 16V to 24V output-side power supply voltage.

Automotive Gate Driver Evaluation Boards

ROHM Semiconductor Automotive Gate Driver Evaluation Boards are demonstration boards designed to ease the development of applications based on ROHM automotive gate drivers. ROHM Semiconductor Automotive Gate Drivers are based on a unique microfabrication process to build an on-chip coreless transformer. This technology results in compact, robust, and reliable isolated gate drivers that are optimized for use with SiC (Silicon Carbide) power MOSFETs, providing an optimized solution for power circuit designs in industrial and automotive applications.