Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Loại Kích thước bộ nhớ Độ rộng bus dữ liệu Tần số đồng hồ tối đa Đóng gói / Vỏ bọc Tổ chức Thời gian truy cập Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu Điện áp cấp nguồn - Tối đa Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Đóng gói
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 440Có hàng
480Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 100

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 2,000Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 100
: 2,000

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape