PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Loại
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Số mạch điều khiển
Số lượng đầu ra
Dòng đầu ra
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
STMicroelectronics Gate Drivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Bảng dữ liệu
330Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics Gate Drivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Bảng dữ liệu
403Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 2,500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape