EVSTDRIVEG600DM

STMicroelectronics
511-EVSTDRIVEG600DM
EVSTDRIVEG600DM

Nsx:

Mô tả:
Power Management IC Development Tools Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$82.67 $82.67

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Công cụ phát triển IC quản lý nguồn
RoHS:  
Demonstration Boards
Gate Driver
4.75 V to 20 V
STDRIVEG600
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Đóng gói: Bulk
Loại sản phẩm: Power Management IC Development Tools
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Development Tools
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

USHTS:
9030890100
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board provides a Half-Bridge topology reference design pairing the STDRIVEG600 Gate Driver with an MDmesh™ DM2 Power MOSFET. The STDRIVEG600 is a single-chip half-bridge gate driver for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V.  

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.