QPA2211D

Qorvo
772-QPA2211D
QPA2211D

Nsx:

Mô tả:
RF Amplifier GaN Amplifier

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 10   Nhiều: 10
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$520.60 $5,206.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Qorvo
Danh mục Sản phẩm: Bộ khuếch đại RF
Hạn chế Vận chuyển
 Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:  
27.5 GHz to 31 GHz
22 V
280 mA
26 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
Die
GaN SiC
- 40 C
+ 85 C
QPA2211D
Gel Pack
Nhãn hiệu: Qorvo
Bộ công cụ phát triển: QPA2211DEVB03
Suy hao trở lại đầu vào: 12 dB
Số lượng kênh: 1 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn: 40 W
Loại sản phẩm: RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc: 10
Danh mục phụ: Wireless & RF Integrated Circuits
Tần số kiểm tra: 31 GHz
Đơn vị Khối lượng: 2.140 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
ECCN:
3A001.b.2.c

QPA2210D & QPA2211D 27-31GHz GaN Power Amplifiers

Qorvo QPA2210D and QPA2211D GaN Ka-Band Power Amplifiers operate between a 27GHz and 31GHz frequency range to support satellite communications and 5G infrastructure. The amplifiers are fabricated on Qorvo's 0.15µm gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) process. The amplifiers are also fully matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports. The amplifiers are 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with electrical specifications.