Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 0.4 USD
Availability: Discontinued

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-BGAV1A10E6327XTS

Số nhà sản xuất:

BGAV1A10E6327XTSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

RF Amplifier RF SILICON MMIC

Tuổi thọ:

NRND:

Không khuyến khích cho thiết kế mới.

Bảng dữ liệu:

BGAV1A10E6327XTSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies BGAV1A10E6327XTSA1

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: Yêu cầu Báo giá Giao hàng

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 4500 Nhiều: 4500

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4500)
	$0.404	$1,818.00
	$0.39	$3,510.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF
RoHS:
Tần số vận hành:	3.4 GHz to 3.8 GHz
Điện áp cấp vận hành:	1.7 V to 1.9 V
Dòng cấp nguồn vận hành:	5 mA
Độ khuếch đại:	22 dB
NF - Hệ số nhiễu:	1.3 dB
Loại:	Low Noise Amplifiers
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	ATSLP-10-3
Công nghệ:	Si
P1dB - Điểm bắt đầu nén:	3 dBm
OIP3 - Điểm chặn bậc ba:	32 dBm
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 30 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Suy hao trở lại đầu vào:	13 dB
Cách ly dB:	32 dB
Số lượng kênh:	1 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn:	90 mW
Loại sản phẩm:	RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc:	4500
Danh mục phụ:	Wireless & RF Integrated Circuits
Tần số kiểm tra:	3.5 GHz
Mã Bí danh:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
Đơn vị Khối lượng:	2.450 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

BGAV1A10E6327XTSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8537109899
ECCN:: EAR99

BGAx1A10 LTE LNA with Gain Control

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE Low Noise Amplifiers (LNA) with Gain Control are designed to significantly improve the data rate of LTE communications. These BGAx1A10 LNAs feature an integrated gain control, bypass function, high system flexibility, and a low noise figure. The bypass mode reduces current consumption, and the Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control interface reduces the control lines to a minimum. The BGAx1A10 LNAs ensures high LTE data rates due to high gain feature and higher system flexibility due to integrated gain control.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.