TGS2355

Qorvo
772-TGS2355
TGS2355

Nsx:

Mô tả:
RF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 50   Nhiều: 50
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$147.76 $7,388.00
100 Báo giá

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Tray
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$214.66
Tối thiểu:
1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Qorvo
Danh mục Sản phẩm: IC công tắc RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.3 dB
40 dB
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
Die
Si
TGS2355
Gel Pack
Nhãn hiệu: Qorvo
Điện áp điều khiển ở mức cao: - 48 V
Số lượng bộ chuyển mạch: Single
Dòng cấp nguồn vận hành: 1 mA
Pd - Tiêu tán nguồn: 36.8 W
Loại sản phẩm: RF Switch ICs
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Wireless & RF Integrated Circuits
Mã Bí danh: 1097157
Đơn vị Khối lượng: 1 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.