MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Tần số vận hành
Điện áp cấp vận hành
Dòng cấp nguồn vận hành
Độ khuếch đại
Loại
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Công nghệ
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
MACOM RF Amplifier Transistor,GaN,100W,CW
Bảng dữ liệu
287Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF Amplifier Amplifier,GaN,50W,CW
Bảng dữ liệu
84Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF Amplifier Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 28 Tuần
Tối thiểu: 250
Nhiều: 250
Rulo cuốn: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel