VSMA1085750X02

Vishay Semiconductors
78-VSMA1085750X02
VSMA1085750X02

Nsx:

Mô tả:
Infrared Emitters HIPOW IR EMITTING DIODE 940NM -E3

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 677

Tồn kho:
677 Có thể Giao hàng Ngay
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$3.04 $3.04
$2.21 $22.10
$1.72 $172.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 600)
$1.47 $882.00
$1.33 $1,596.00
$1.27 $3,048.00
$1.25 $6,000.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: Bộ phát hồng ngoại
RoHS:  
SMD/SMT
850 nm
1600 mW/sr
1 A, 1.5 A
3.9 V
- 40 C
+ 125 C
3.4 mm x 3.4 mm
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Thời gian giảm: 16 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: IR Emitters (IR LEDs)
Thời gian tăng: 13 ns
Sê-ri: VSM
Số lượng Kiện Gốc: 600
Danh mục phụ: Infrared Data Communications
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
JPHTS:
854141000
TARIC:
8541410000
MXHTS:
8541410100
ECCN:
EAR99

VSMA1085750X02 High Power Infrared Emitting Diode

Vishay VSMA1085750X02 High Power Infrared Emitting Diode is part of the Astral portfolio. Vishay VSMA1085750X02 is an 850nm infrared emitting diode with a double stack emitter chip for maximum radiant power. The device has a 42-millimeter chip size, allows 1.5A DC operation, and accommodates pulsed currents up to 5.0A.