Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

DF10G5M4N,LF

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

757-DF10G5M4NLF

Số nhà sản xuất:

DF10G5M4N,LF

Nsx:

Toshiba

Mô tả:

ESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD Protection Diode

Tuổi thọ:

NRND:

Không khuyến khích cho thiết kế mới.

Bảng dữ liệu:

DF10G5M4N,LF Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Toshiba DF10G5M4N,LF

Sẵn có

Tồn kho:: Không Có sẵn

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Giá (USD)

Yêu cầu Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Toshiba
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt bảo vệ ESD/Đi-ốt TVS
RoHS:
Cực tính:	Bidirectional
Số lượng kênh:	4 Channel
Điện áp làm việc:	3.6 V
Kiểu chấm dứt:	SMD/SMT
Điện áp kẹp:	10 V
Điện áp đánh thủng:	5 V
Đóng gói / Vỏ bọc:	DFN-10
IPP - Dòng xung đỉnh:	2 A
Pppm - Giảm nguồn xung đỉnh:	30 W
Cd - Điện dung đi-ốt:	0.2 pF
Vesd - Tiếp điểm ESD điện áp:	20 kV
Vesd - Khe hở ESD điện áp:	20 kV
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	DF10G5
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Toshiba
Sản phẩm:	ESD Suppressors
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Đơn vị Khối lượng:	3.200 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

DF10G5M4N,LF Bảng dữ liệu (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

Low Power Discrete Semiconductors for IoT

Toshiba Low Power Discrete Semiconductors include LDOs (Low Drop Out Regulators), Load Switches, ESD Suppressors, TVS Diodes, and Magnetic Hall Effect Sensors, ideal for small form-factor, low power IoT (Internet of Things) applications.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.

DF6D7M1N & DF10G7M1N ESD Protection Diodes

Toshiba DF6D7M1N and DF10GxMxN ESD Protection Diodes feature an electrostatic discharge rating of ±8kV to ±20kV. These devices offer a junction temperature of 150°C and a storage temperature range of -55°C to +150°C. DF6D7M1N is designed for general ESD protection while DF10GxMxN is ideal for ESD protection in a range of applications, including USB 2.0, USB 3.0, HDMI, SATA/eSATA, DisplayPort interfaces, Digital Visual Interface (DVI), MDDI, and PCI Express.