QPD0011EVB1 Evaluation Board
Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.
Không Tìm thấy Kết quả.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Đề xuất tìm kiếm
- Kiểm tra chính tả mã phụ tùng và từ khóa
- Sử ít từ khóa hoặc từ khóa khác
- Tìm 1 mã Phụ tùng một lúc
- Sử dụng 1 bộ lọc một lúc
