QPD0011EVB1 Evaluation Board

Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Không Tìm thấy Kết quả.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Đề xuất tìm kiếm
  • Kiểm tra chính tả mã phụ tùng và từ khóa
  • Sử ít từ khóa hoặc từ khóa khác
  • Tìm 1 mã Phụ tùng một lúc
  • Sử dụng 1 bộ lọc một lúc