Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

GRF5517W

Name: Guerrilla RF GRF5517W
Brand: Guerrilla RF
SKU: 459-GRF5517W
Price: 6.34 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

459-GRF5517W

Số nhà sản xuất:

GRF5517W

Nsx:

Guerrilla RF

Mô tả:

RF Amplifier High Linearity Power Amplifier; 1.7 - 1.8 GHz; AEC-Q100 Grade 2 Qualified; High gain, two-stage InGaP HBT power amplifier

Bảng dữ liệu:

GRF5517W Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Guerrilla RF GRF5517W

Có hàng: 1,479

Tồn kho:: 1,479 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$6.34	$6.34
	$4.55	$45.50
	$4.24	$106.00
	$3.73	$373.00
	$3.54	$885.00
	$3.17	$1,585.00
	$2.68	$2,680.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)
	$2.56	$3,840.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Guerrilla RF
Danh mục Sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF
Tần số vận hành:	1.7 GHz to 1.8 GHz
Điện áp cấp vận hành:	5 V
Dòng cấp nguồn vận hành:	305 mA
Độ khuếch đại:	27.5 dB
NF - Hệ số nhiễu:	5.4 dB
Loại:	Power Amplifiers
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	QFN-16
Công nghệ:	InGaP
P1dB - Điểm bắt đầu nén:	32 dBm
OIP3 - Điểm chặn bậc ba:	48 dBm
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 105 C
Tiêu chuẩn:	AEC-Q100
Sê-ri:	GRF5517
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Guerrilla RF
Suy hao trở lại đầu vào:	7 dB
Cách ly dB:	50 dB
Số lượng kênh:	2 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn:	1.4 W
Loại sản phẩm:	RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc:	1500
Danh mục phụ:	Wireless & RF Integrated Circuits
Tần số kiểm tra:	1.747 GHz

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GRF5517W Bảng dữ liệu

Videos

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

GRF5517W High Linearity Power Amplifier

Guerrilla RF GRF5517W High Linearity Power Amplifier is a high gain, two-stage InGaP HBT power amplifier. This GRF5517W power amplifier is designed to deliver excellent P1dB, ACLR, and IM3 performance over the 1700MHz to 1800MHz frequency band. The high linearity power amplifier incorporates exceptional native linearity that makes it an ideal choice for transmitter applications without the need for digital pre-distortion correction schemes. This GRF5517W power amplifier operates at a supply voltage of 5V and 225mA quiescent current. The GRF5517W power amplifier is AEC-Q100 Grade 2 qualified. Typical applications include cellular boosters, automotive compensators, picocells/femtocells, and customer-premise equipment.