MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Cực tính transistor Công nghệ Id - Dòng cực máng liên tục Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Tần số vận hành Độ khuếch đại Công suất đầu ra Nhiệt độ làm việc tối đa Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Đóng gói
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H 121Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 10 Tuần
Tối thiểu: 150
Nhiều: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230GS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 10 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel, Cut Tape, MouseReel